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当p≤0.1时，省碳实施TL是各向同性的(TaL≈TbL)，它的掺杂水平远高于TCDW。为了表征YBCO薄膜的CDW有序度，达峰打造本工作在CuL3边缘(~930eV)使用了RIXS。
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这个窄的、产业温度依赖性的峰是CDW的特征峰。郑汴采用碳掩模结合电子束光刻和Ar+离子铣削的方法对器件进行YBCO方向的角度为φ的图形化。
背景介绍铜酸盐高温超导体是一类以强电子-电子相关性为基础的材料，洛濮廊若想准确的理解其非常规的特性，可能需要放弃传统的固体物理概念。
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